5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3507
2SC3507 PDF预览

2SC3507

更新时间： 2024-10-01 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC3507 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.74外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JESD-30 代码：R-PSFM-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER BISMUTH COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6 MHzBase Number Matches：1

2SC3507 数据手册

 浏览型号2SC3507的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3507的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SC3507  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
Features  
High-speed switching  
■
15.0±0.3  
11.0±0.2  
5.0±0.2  
●
3.2  
●
High collector to base voltage VCBO  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
φ3.2±0.1  
2.0±0.2  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
2.0±0.1  
0.6±0.2  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1.1±0.1  
Collector to base voltage  
1000  
5.45±0.3  
1000  
V
10.9±0.5  
Collector to emitter voltage  
800  
V
1
2
3
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
7
V
10  
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
IC  
5
A
TOP–3 Full Pack Package(a)  
Base current  
IB  
3
A
Collector power TC=25°C  
80  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 1000V, IE = 0  
IEBO  
VEB = 7V, IC = 0  
50  
*
Collector to emitter voltage  
Forward current transfer ratio  
VCEO(sus)  
hFE  
IC = 0.5A, L = 50mH  
VCE = 5V, IC = 3A  
800  
6
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 3A, IB = 0.6A  
1.5  
1.5  
V
V
IC = 3A, IB = 0.6A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
6
MHz  
µs  
1
IC = 3A, IB1 = 0.6A, IB2 = –1.2A,  
VCC = 250V  
2.5  
0.5  
µs  
µs  
*VCEO(sus) Test circuit  
50/60Hz  
mercury relay  
X
L 50mH  
Y
120Ω  
1Ω  
6V  
15V  
G
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SC3507相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3507_15 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SC3507_2014 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SC3508 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 800V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR
2SC3509 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 800V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
2SC3510 HITACHI

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial
2SC3510RF HITACHI

获取价格

 		Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC3510RR HITACHI

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92
2SC3510TR HITACHI

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3510TZ HITACHI

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92
2SC3510UL HITACHI

获取价格

 		暂无描述

与2SC3507相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证