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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3513IS-TL | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC3513IS-TR | HITACHI |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SC3513IS-UL | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC3513IS-UR | HITACHI |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SC3514 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC3514Q | ISC |
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Transistor |
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| 2SC3515 | KEXIN |
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High Voltage Control Applications |
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| 2SC3515 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE CONTROL, PLASMA DISPLAY, NIXIE TUBE DRIVER, CATHODE |
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| 2SC3515 | TYSEMI |
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High Voltage: VCBO = 300V , VCEO = 300V Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 0.5V (max) |
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| 2SC3515_04 | TOSHIBA |
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HIGH Voltage Control Applications Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications Cathode R |
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