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2SC3512TZ-E

更新时间： 2024-10-02 06:17:27

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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Silicon NPN Epitaxial

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2SC3512TZ-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.6 pF	集电极-发射极最大电压：	11 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3512TZ-E 数据手册

2SC3512

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0714-0300

Rev.3.00

Apr 20, 2006

Application

UHF / VHF wide band amplifier

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-C

(Package name: TO-92 (2))

1. Base

2. Emitter

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

600

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.3.00 Apr 20, 2006 page 1 of 5

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2SC3513IS-01	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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