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2SC3460

更新时间： 2024-01-04 20:12:09

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锦美电子 - JMNIC		/
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4页	231K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3460 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-218	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	100 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3460 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3460

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High breakdown voltage and high reliability.

·Fast switching speed

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·800V/6A switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1100

800

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3 4

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