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2SC3466

更新时间： 2024-02-13 05:42:05

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	226K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3466 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	650 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	6
JEDEC-95代码：	TO-218	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	120 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3466 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3466

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High breakdown voltage and high reliability.

·Fast switching speed

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·Switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1200

650

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

120

150

-55~150

ꢀ

T_j

T_stg

ꢀ

12 3 4

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