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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.89 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3396 | SANYO |
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SILICON PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FOR SWITCHING APPLICATIONS |
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| 2SC3396-TB | ONSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3397 | SANYO |
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PNP /NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS |
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| 2SC3397-TB | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3398 | SANYO |
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PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS |
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| 2SC3399 | SANYO |
获取价格 |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SC3399-AC | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SC3400 | SANYO |
获取价格 |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SC3400-AP | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC3401 | SANYO |
获取价格 |
PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS |
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