Datasheet > 2SC3412

2SC3412

更新时间： 2024-09-23 06:19:55

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	191K
描述
Silicon NPN Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3412 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SC3412 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3412

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 500V (Min)

·High Power Dissipation

APPLICATIONS

·Designed for TV horizontal deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

1300

500

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-45~150

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与2SC3412相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3413	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC3413B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAKVAR
2SC3413-B	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3413BRF	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3
2SC3413BRR	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SC3413BTZ	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3
2SC3413C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAKVAR
2SC3413-C	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3413-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3413CRF	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3