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2SC2713_07

更新时间： 2024-11-16 04:25:59
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东芝 - TOSHIBA PC
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4页 647K
描述
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

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2SC2713  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC2713  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
•
High voltage: V  
= 120 V  
CEO  
Excellent h  
linearity: h  
= 200~700  
(I = 0.1 mA)/h  
C
(I = 2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE C  
FE  
FE  
High h  
h
FE: FE  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SA1163  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
120  
120  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
V
I
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
20  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
SC-59  
TOSHIBA  
2-3F1A  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba  
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 120 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
0.1  
0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= 6 V, I = 2 mA  
200  
⎯
700  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= 10 mA, I = 1 mA  
⎯
⎯
⎯
⎯
100  
3.0  
0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= 6 V, I = 1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
ob  
E
= 6 V, I = 0.1 mA  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
f = 1 kHz, R = 10 kΩ  
G
Note: h classification GR (G): 200~400, BL (L): 350~700  
FE  
Marking  
1
2007-11-01  
1234

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2SC2713_15 KEXIN

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