5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.17 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2688G-L-T6C-K | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC2688G-M-T60-K | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC2688G-M-T6C-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
|
| 2SC2688G-N-T60-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
|
| 2SC2688G-N-T6C-K | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC2688G-X-T60-K | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SC2688G-X-T6C-K | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SC2688K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
|
| 2SC2688-K | SECOS |
获取价格 |
0.2A, 300V NPN Plastic Encapsulated Transistor |
|
| 2SC2688-K-AZ | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
