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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2688G-N-T60-K | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC2688G-N-T6C-K | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SC2688G-X-T60-K | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC2688G-X-T6C-K | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SC2688K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC2688-K | SECOS |
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0.2A, 300V NPN Plastic Encapsulated Transistor |
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| 2SC2688-K-AZ | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC2688-K-T60-A-K | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SC2688-K-T60-B-K | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC2688-K-T60-C-K | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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