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2SC2410/MN

更新时间: 2024-11-18 14:20:39
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罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 135K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

2SC2410/MN 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:3.5 pF集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):39
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):230 MHz
Base Number Matches:1

2SC2410/MN 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2410/MP ROHM

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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100mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2410S ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
2SC2410S/M ROHM

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC2410S/MN ROHM

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