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2SC2411

更新时间： 2024-11-19 14:54:27

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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双极型晶体管

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2SC2411 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	32
Collector Current - Continuous：	0.5	DC current gain - Min：	82
DC current gain - Max：	390	Transition frequency：	250
Package：	SOT-23	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

2SC2411 数据手册

2SC2411

Silicon Epitaxial Planar Transistor

SOT-23

Min

Dim

Max

3.10

1.50

FEATURES

2.70

Power dissipation: P_CM=200Mw.

1.10

High I_CM(MAX.),I _CM(MAX.)=0.5mA.

1.0 Typical

0.4 Typical

Low V_CE(sat)

。

0.35

0.48

2.00

0.1

Complements the 2SA1036.

1.80

0.02

APPLICATIONS

0.1 Typical

2.20

2.60

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor.

All Dimensions in mm

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

Package Code

SOT-23

2SC2411

CP/CQ/CR

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

500

℃

P_C

200

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55 to+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol Test conditions

MIN

TYP MAX UNIT

Collector-base breakdown

voltage

V_(BR)CBOI_C=100μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=100μA,I_C=0

Collector-emitter breakdown

voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_CBO

I_EBO

V_CB=20V,I_E=0

V_EB=4V,I_C=0

μA

Emitter cut-off current

DC current gain

h_FE

V_CE=3V,I_C=100mA

390

0.4

Collector-emitter saturation

voltage

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE(sat)

V_CB=10V,I_E=0

f=1MHz

Collector output capacitance

Transition frequency

C_ob

6.0

V_CE=5V, I_C= -20mA

f=100MHZ

f_T

250

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

82-180

120-270

180-390

Marking

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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