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2SC2292

更新时间： 2024-10-02 06:19:59

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	195K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC2292 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2SC2292 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC2292

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Power switching

·Power amplification

·Power driver

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

UNIT

500

400

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.56

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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