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2SC2305_2014

更新时间： 2024-09-24 01:17:55

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2305_2014 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC2305

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High breakdown voltage

·Fast switching speed

·Wide safe operating area

APPLICATIONS

·For switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Base current (DC)

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

400

Open base

400

Open collector

I_CP

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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