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2SC2258

更新时间： 2024-01-14 05:56:22

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松下 - PANASONIC		/
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3页	72K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type

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2SC2258 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER BISMUTH COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2258 数据手册

Power Transistors

2SC2258

Silicon NPN triple diffusion planar type

For high breakdown voltage general amplification

Unit: mm

3.2 0.2

+0.5

–0.1

8.0

φ 3.16 ^0.1

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• High transition frequency f_T

• TO-126B package which requires no insulation plate for installa-

tion to the heat sink

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

250

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

0.5 0.1

1.76 0.1

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Collector current

I_C

I_CP

P_C

100

150

Peak collector current

Collector power dissipation

TO-126B-A1 Package

1.2 ^*

4 ^*

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note) 1: Without heat sink

2 :With a 100 × 100 × 2 mm Al heat sink

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_EBO

V_BE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

I_E= 0.1 mA, I_C= 0

V_CE= 20 V, I_C= 40 mA

1.2

Collector-emitter cutoff current

(Resistor between B and E)

I_CER

V_CE= 250 V, R_BE= 100 kΩ

100

µA

Forward current transfer ratio

h_FE1

h_FE2

V_CE= 20 V, I_C= 40 mA

V_CE= 50 V, I_C= 5 mA



Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

1.2

4.5

MHz

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

V_CB= 50 V, I_E= 0, f = 1 MHz

100

3.0

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: January 2003

SJD00098BED

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SD1266A	PANASONIC	功能相似	Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)

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