2SC2258A

更新时间： 2024-01-31 00:12:05

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2258A 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2258A

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High transition frequency f_T

·High collector-emitter voltage V_CEO

APPLICATIONS

·High voltage general amplifier

·TV video output amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

300

UNIT

Collector- emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

300

Open collector

0.1

I_CM

Collector current-peak

0.15

1.2*¹

4*²

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55～+150

Note :*1: Without heat sink

*2: With a 100 × 100 × 2 mm A1 heat sink

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