2SC2270B

更新时间： 2024-02-22 14:20:58

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	123K
描述
Transistor

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2SC2270B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SC2270B 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2270

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Low collector saturation voltage

·High collector power dissipation

APPLICATIONS

·Strobo flash applications

·Medimum power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Emitter current (DC)

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

I_E

-5

I_EM

Emitter current-peak

-8

T_a=25℃

T_C=25℃

1.0

P_C

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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