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2SC2258_2014

更新时间： 2024-01-16 08:28:15

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2258_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2258

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High transition frequency f_T

·High collector-emitter voltage V_CEO

APPLICATIONS

·For high breakdown voltage general

amplification

·For video output amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

250

UNIT

Collector- emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

250

Open collector

0.1

I_CM

Collector current-peak

0.15

1.2*¹

4*²

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55～+150

Note :*1: Without heat sink

*2: With a 100 × 100 × 2 mm A1 heat sink

12 3 4

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