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2SC2262

更新时间： 2024-01-23 08:12:57

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	189K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC2262 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC2262 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC2262

DESCRIPTION

·High Power Dissipation-

: P_C= 80W(Max.)@T_C=25℃

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 140V(Min.)

·Complement to Type 2SA982

APPLICATIONS

·Designed for general purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

200

140

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-65~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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