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2SC2258A

更新时间： 2024-02-12 19:28:19

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2258A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER BISMUTH COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2258A 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2258A

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High transition frequency f_T

·High collector-emitter voltage V_CEO

APPLICATIONS

·High voltage general amplifier

·TV video output amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

300

UNIT

Collector- emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

300

Open collector

0.1

I_CM

Collector current-peak

0.15

1.2*¹

4*²

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55～+150

Note :*1: Without heat sink

*2: With a 100 × 100 × 2 mm A1 heat sink

12 3

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