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2SC2246_15

更新时间： 2024-09-29 01:17:07

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon Power Transistors

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2SC2246_15 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon Power Transistors

2SC2246

DESCRIPTION

·High voltage ,high speed

·With TO-3 package

APPLICATIONS

·Power switching

·Power amplification

·power driver

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

MAX

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

450

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

400

Open collector

I_CM

I_B

Collector current-Peak

Base current

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

_mb=25℃

100

200

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance from junction to mounting base

1.0

℃/W

JMnic

12 3

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