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2SC2239

更新时间： 2024-11-12 07:30:31

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	156K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC2239 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC2239

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

: V_(BR)CEO=160V(Min)

·Good Linearity of h_FE

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Driver stage amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

160

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

160

Collector Current-Continuous

Emitter Current- Continuous

1.5

I_E

-1.5

Total Power Dissipation

P_C

℃

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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