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2SC2068

更新时间: 2024-11-26 21:55:35
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东芝 - TOSHIBA PC
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS)

2SC2068 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.37外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):95 MHzBase Number Matches:1

2SC2068 数据手册

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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