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2SC2073

更新时间： 2024-01-11 09:11:18

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2页	223K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC2073 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz

2SC2073 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC2073

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

:V_(BR)CEO= 150V(Min)

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SA940

APPLICATIONS

·Power amplifier applications.

·Vertical output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

150

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

1.5

I_B

0.5

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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