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2SC2073

更新时间： 2024-11-29 05:57:19

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC2073 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC2073

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

:V_(BR)CEO= 150V(Min)

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SA940

APPLICATIONS

·Power amplifier applications.

·Vertical output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

150

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

1.5

I_B

0.5

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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