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2SC1921RF

更新时间： 2024-11-16 13:01:55

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
6页	161K
描述
50mA, 200V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SC1921RF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC1921RF 数据手册

2SC1921

Silicon NPN Triple Diffused

REJ03G0695-0200

(Previous ADE-208-1060)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

High frequency high voltage amplifier

Video output

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

250

200

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

600

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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2SC1921TZ	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC1921TZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
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