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2SC1922

更新时间: 2024-02-05 12:02:13
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CDIL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

2SC1922 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.46
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2.5 A
集电极-发射极最大电压:800 V配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:140 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:50 W
最大功率耗散 (Abs):50 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:5 V
Base Number Matches:1

2SC1922 数据手册

  

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