是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.46 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 2.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 800 V | 配置: | SINGLE |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 140 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 50 W |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | VCEsat-Max: | 5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SC1922_15 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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2SC1922_2014 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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2SC1923 | TOSHIBA | TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, FM, RF, MIX, IF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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2SC1923 | SECOS | NPN Plastic Encapsulated Transistor |
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2SC1923 | ONSEMI | TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,20MA I(C),TO-92, BIP General Purpose Small Sign |
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2SC1923 | CJ | TO-92 |
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