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2SC1922

更新时间： 2024-11-16 06:19:07

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1922 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1922

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

·High speed switching

APPLICATIONS

·For TV horizontal output applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1500

800

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

2.5

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-65~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance from junction to case

2.5

℃/W

12 3

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