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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3/e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN/TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 500 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1621R-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC1621-T1B-A | RENESAS |
获取价格 |
Bipolar Power Transistors, , / |
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| 2SC1621-T1B-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SC1621-T1BB4 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC1621-T2B | NEC |
获取价格 |
200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
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| 2SC1621-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
Bipolar Power Transistors, , / |
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| 2SC1621-T2BB4 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC1622 | NEC |
获取价格 |
AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC1622A | TYSEMI |
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High DC current gain.Collector-base voltage VCBO 120 V |
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| 2SC1622A | NEC |
获取价格 |
AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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