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2SC1622A

更新时间： 2024-02-17 13:26:21

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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1页	37K
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NPN Silicon Epitaxial Transistor

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2SC1622A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.24
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	135
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz	Base Number Matches：	1

2SC1622A 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Silicon Epitaxial Transistor

2SC1622A

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

High DC current gain.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

120

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^T

200

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

500

Max

0.05

900

Unit

ìA

VCB = 120V, IE=0

VEB = 5V, IC=0

I^EBO

ìA

V^CE=6V , IC = 1mA

V^CE=6V , IC = 0.1mA

135

100

DC current gain *

h^FE

Collector-emitter saturation voltage *

Base-emitter voltage *

VCE(sat) IC = 10mA , IB = 1mA

0.07 0.30

0.55 0.58 0.65

V^BE

f^T

VCE = 6V , IC = 1mA

VCE = 6V , IE = -1mA

Gain bandwidth product

Output capacitance

110

1.6

MHz

C^ob

VCB = 30V , IE = 0 , f = 1.0MHz

2.5

* Pulse test: tp

350 ìs; d

0.02.

hFE Classification

Marking

hFE

D15

135 270

D16

200 400

D17

300 600

D18

450 900

www.kexin.com.cn

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