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2SC1569

更新时间: 2024-01-10 05:02:33
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管放大器PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 238K
描述
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS)

2SC1569 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.15 A
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SC1569 数据手册

 浏览型号2SC1569的Datasheet PDF文件第2页 

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