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2SC1573AP

更新时间： 2024-01-30 10:10:32

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	73K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| TO-92

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2SC1573AP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SC1573AP 数据手册

Transistor

2SC1573, 2SC1573A, 2SC1573B

Silicon NPN triple diffusion planer type

For high breakdown voltage general amplification

Unit: mm

For small TV video output

5.9 0.2

4.9 0.2

Complementary to 2SC1573 and 2SA0879 (2SA879)

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

High transition frequency f_T.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

0.7 0.1

Parameter

2SC1573

Symbol

Ratings

Unit

2.54 0.15

250

300

Collector to

2SC1573A

2SC1573B

2SC1573

2SC1573A

2SC1573B

V_CBO

base voltage

400

200

Collector to

0.45^+–0.2¹

0.45⁺–0⁰.^.1²

V_CEO

300

1.27

emitter voltage

400

1:Emitter

2:Collector

3:Base

EIAJ:SC–51

TO–92L Package

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

100

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

˚C

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

V_CB= 12V, I_E= 0

µA

2SC1573

200

300

400

Collector to emitter

voltage

2SC1573A V_CEO

2SC1573B

I_C= 100µA, I_B= 0

I_E= 1µA, I_C= 0

2SC1573

Emitter to base

voltage

2SC1573A V_EBO

2SC1573B

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 5mA

I_C= 50mA, I_B= 5mA

220

1.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

MHz

2SC1573

Collector output

capacitance

2SC1573A C_ob

2SC1573B

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

30 ~ 100

60 ~ 150

100 ~ 220

*2SC1573 for Ranks Q and R only

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.

12 3 4

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