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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC1573A
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2SC1573A

更新时间： 2024-01-22 05:11:48
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松下 - PANASONIC /
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3页 50K
描述
Silicon NPN triple diffusion planer type(For high breakdown voltage general amplification)

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Transistor  
2SC1573, 2SC1573A, 2SC1573B  
Silicon NPN triple diffusion planer type  
For high breakdown voltage general amplification  
Unit: mm  
For small TV video output  
5.9±0.2  
4.9±0.2  
Complementary to 2SC1573 and 2SA879  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
■
●
.
●
High transition frequency fT.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.7±0.1  
Parameter  
2SC1573  
Symbol  
Ratings  
Unit  
2.54±0.15  
250  
300  
Collector to  
2SC1573A  
2SC1573B  
2SC1573  
2SC1573A  
2SC1573B  
VCBO  
V
base voltage  
400  
200  
Collector to  
0.45+–0.21  
0.45+–00..12  
VCEO  
300  
V
1.27  
1.27  
emitter voltage  
400  
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
EIAJ:SC–51  
TO–92L Package  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
IC  
7
V
mA  
mA  
W
1
2
3
100  
70  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
Tj  
150  
˚C  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
VCB = 12V, IE = 0  
2
µA  
2SC1573  
200  
300  
400  
5
Collector to emitter  
voltage  
2SC1573A VCEO  
2SC1573B  
IC = 100µA, IB = 0  
IE = 1µA, IC = 0  
V
V
2SC1573  
Emitter to base  
voltage  
2SC1573A VEBO  
7
2SC1573B  
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 10V, IC = 5mA  
IC = 50mA, IB = 5mA  
30  
220  
1.2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
50  
80  
5
MHz  
2SC1573  
10  
8
Collector output  
capacitance  
2SC1573A Cob  
2SC1573B  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
pF  
4
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
P
Q
R
30 ~ 100  
60 ~ 150  
100 ~ 220  
*2SC1573 for Ranks Q and R only  
1
123

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