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2SC1317R

更新时间： 2024-02-12 20:36:29

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4页	69K
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92

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2SC1317R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-92-B1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC1317R 数据手册

Transistor

2SC1317, 2SC1318

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— I_B

800

700

600

500

400

300

200

100

800

700

600

500

400

300

200

100

800

700

600

500

400

300

200

100

Ta=25˚C

V_CE=10V

Ta=25˚C

I_B=10mA

9mA

8mA

7mA

6mA

5mA

4mA

3mA

2mA

1mA

20 40 60 80 100 120 140 160

(

)

( )

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Base current I_BmA

V_CE(sat)— I_C

V_BE(sat)— I_C

h_FE— I_C

100

300

250

200

150

100

I_C/I_B=10

V_CE=10V

Ta=75˚C

25˚C

Ta=75˚C

–25˚C

Ta=75˚C

25˚C

0.3

0.1

0.3

0.1

–25˚C

0.03

0.01

0.03

0.01

0.01 0.03

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

( )

Collector current I_CA

Collector current I_C

f_T— I_E

C_ob— V_CB

V_CER— R_BE

240

200

160

120

100

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

V_CB=10V

Ta=25˚C

I_C=2mA

Ta=25˚C

2SC1318

2SC1317

–1

–3

–10

–30

–100

100

100 300 1000

(

)

( )

(

)

Emitter current I_EmA

Collector to base voltage V_CB

Base to emitter resistance R_BEkΩ

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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