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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.01 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 900 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC1321Q4 | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC1324 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(Broadband amplifiers from VHF to UHF band) |
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| 2SC1324 | NJSEMI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC1325 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1325 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1325 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(6.0A,1500V,80W) |
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