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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-218 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.033 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB913 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SB919 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB919 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB919 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB919 | SANYO |
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30V/8A High-Speed Switching Applications |
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| 2SB919 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 30V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| 2SB919_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB919_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB919Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SB919R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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