Datasheet > 2SB908(2-7J1A)

2SB908(2-7J1A)

更新时间： 2024-11-22 15:23:15

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	184K
描述
TRANSISTOR 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB908(2-7J1A) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.89
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB908(2-7J1A) 数据手册

2SB908

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SB908

Switching Applications

Unit: mm

Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications

Power Amplifier Applications

•

High DC current gain: h

= 2000 (min) (V

= −2 V, I = −1 A)

FE (1)

CE C

Low saturation voltage: V

= −1.5 V (max) (I = −3 A)

CE (sat)

Complementary to 2SD1223

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−100

−80

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−5

−4

Base current

−0.4

1.0

JEDEC

JEITA

―

Ta = 25°C

Tc = 25°C

Collector power

dissipation

―

TOSHIBA

2-7J1A

Junction temperature

150

°C

Weight: 0.36 g (typ.)

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

Equivalent Circuit

COLLECTOR

BASE

≈ 300 Ω

≈ 4.5 kΩ

EMITTER

2010-02-05

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与2SB908(2-7J1A)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB908(SM)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),TO-252VAR
2SB908_07	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applic
2SB908_10	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applic
2SB909M	ROHM	获取价格	Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors
2SB909M/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909M/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909M/PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909M/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909M/R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909MC2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与2SB908(2-7J1A)相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

34
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB908(2-7J1A)

2SB908(2-7J1A) 技术参数

2SB908(2-7J1A) 数据手册

与2SB908(2-7J1A)相关器件

与2SB908(2-7J1A)相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB908(2-7J1A)

2SB908(2-7J1A) 技术参数

2SB908(2-7J1A) 数据手册

与2SB908(2-7J1A)相关器件

与2SB908(2-7J1A)相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？