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2SB857-D-TN3-R

更新时间： 2024-11-18 03:08:39

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友顺 - UTC		晶体晶体管
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描述
SILICON PNP TRANSISTOR

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2SB857-D-TN3-R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	TO-252, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz

2SB857-D-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2SB857

PNP SILICON TRANSISTOR

SILICON PNP TRANSISTOR

ꢀ

DESCRIPTION

Low frequency power amplifier.

TO-126C

TO-252

*Pb-free plating product number: 2SB857L

ꢀ

ORDERING INFORMATION

Order Number

Pin Assignment

Packing

Package

Normal

Lead Free Plating

2SB857-x-T6C-K

2SB857-x-TN3-R

2SB857-x-TN3-T

2SB857L-x-T6C-K

2SB857L-x-TN3-R

2SB857L-x-TN3-T

TO-126C

TO-252

Bulk

Tape Reel

Tube

2SB857L-x-T6C-K

(1)Packing Type

(1) K: Bulk, R: Tape Reel, T: Tube

(2) T6C: TO-126C, TN3: TO-252

(2)Package Type

(3)Rank

(3) x: refer to Classification of h

FE2

(4)Lead Plating

(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R217-206,C

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB857-D-TN3-T	UTC	获取价格	SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857G-B-T6C-K	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
2SB857G-C-T6C-K	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
2SB857G-C-TN3-R	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic
2SB857G-D-TA3-T	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2SB857G-X-T6C-K	UTC	获取价格	SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857G-X-TA3-T	UTC	获取价格	SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857G-X-TN3-R	UTC	获取价格	SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857L-B-T6C-A-K	UTC	获取价格	Transistor
2SB857L-B-T6C-K	UTC	获取价格	SILICON PNP TRANSISTOR