5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB804AV | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB804AV-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
|
| 2SB804AV-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB804AV-T1 | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SB804AV-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
|
| 2SB804AV-T1-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
|
| 2SB804AV-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
|
| 2SB804AV-T2-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
|
| 2SB804AW | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB804AW-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
