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2SB805

更新时间： 2024-01-28 06:14:06

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科信 - KEXIN		晶体晶体管放大器
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1页	52K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistor

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2SB805 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	75 MHz
Base Number Matches：	1

2SB805 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Silicon Epitaxial Transistor

2SB805

Features

High collector to emitter voltage: VCEO -100V.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

-100

-5

Unit

Collector current

-0.7

Collector current (pulse) *1

Collector power dissipation

Junction temperature

IC(pu)

-1.2

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

*1. PW 10ms,duty cycle 50%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

ICBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-100

400

Unit

VCB = -100V, IE=0

IEBO

VEB = -5V, IC=0

VCE =-1V , IC = -100mA

VCE =-1V , IC = -5.0mA

200

-0.4

-0.9

DC current gain *

hFE

Collector-emitter saturation voltage *

Base-emitter saturation voltage *

Base-emitter voltage *

VCE(sat) IC = -500mA , IB = -50mA

VBE(sat) IC = -500mA , IB = -50mA

-0.6

-1.5

VBE

Cob

VCE =-10V , IC = -10mA

-550 -620 -650

Output capacitance

VCB = -10V , IE = 0 , f = 1.0MHz

VCE = -10V , IE = 10mA

Transition frequency

MHz

* PW 350ìs,duty cycle 2%

hFE Classification

Marking

hFE

200 400

90 180

135 270

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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