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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB772-O-BP
2SB772-O-BP PDF预览

2SB772-O-BP

更新时间： 2024-11-20 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 284K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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2SB772-O-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.56最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

2SB772-O-BP 数据手册

 浏览型号2SB772-O-BP的Datasheet PDF文件第2页 
2SB772-R  
2SB772-O  
2SB772-Y  
2SB772-GR  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
PNP Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
•
•
•
•
Capable of 1.25Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 3.0A  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
K
A
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
N
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
D
V (BR)CEO  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
I CBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
30  
40  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =10mAdc, I =0)  
C
B
ꢀ
E
M
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I C=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I E=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(V CB=40Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(V CE=30Vdc, IB=0)  
B
---  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1.0  
1.0  
1.0  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
1
2
3
ICEO  
L
G
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(V EB=6.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
h FE(1)  
DC Current Gain  
C
(I =1.0Adc, VCE=2.0Vdc)  
DC Current Gain  
60  
32  
---  
400  
---  
---  
C
h FE(2)  
(I =100mAdc, VCE=2.0Vdc)  
---  
C
V CE(sat)  
V BE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=2.0Adc, IB=0.2Adc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I C=2.0Adc, IB=0.2Adc)  
0.5  
2.0  
Vdc  
Vdc  
F
Q
---  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
EMITTER  
COLLECTOR  
BASE  
J
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
f T  
Transistor Frequency  
DIMENSIONS  
(I C=0.1Adc, VCE=5.0Vdc, f=10MHz)  
50  
---  
MHz  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
7.40  
10.60  
15.30  
3.90  
3.00  
0.66  
1.17  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢆ  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
ꢉꢆ  
ꢍ
0.291  
0.417  
0.602  
ꢎꢏꢐꢑ4  
0.118  
0.026  
0.046  
0.307ꢆ  
0.433  
0.618  
ꢎꢏꢐꢒ1  
0.126  
0.034  
0.054  
7.80  
11.00  
15.70  
4.10  
3.20  
0.86  
1.37  
Rank  
Range  
R
O
Y
GR  
200-400  
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢓ
60-120  
100-200  
160-320  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.  
ꢔ
ꢕꢆ  
0.090TYP  
0.098  
2.290TYP  
2.50  
ꢖꢆ  
0.114  
2.90  
L
M
N
0.083  
0.000  
0.043  
0.091  
0.012  
0.059  
2.10  
0.00  
1.10  
2.30  
0.30  
1.50  
Q
0.018  
0.024  
0.45  
0.60  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB772-O-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor,
2SB772O-G STMICROELECTRONICS

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 		Transistor
2SB772P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
2SB772-P KEXIN

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 		PNP Transistors
2SB772P(TO-126) UTC

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2SB772P(TO-126C) UTC

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2SB772PGP CHENMKO

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 		暂无描述
2SB772PL-T6C-T UTC

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 		PNP Epitaxial Transistor
2SB772-P-T6C-K UTC

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