2SB740BTZ-E

更新时间： 2024-11-06 05:56:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管放大器
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Silicon PNP Epitaxial

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2SB740BTZ-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB740BTZ-E 数据手册

2SB740

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0651-0200

(Previous ADE-208-1032)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SD789

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

–70

–50

–6

–1

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

0.9

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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2SB740CTZ	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92MOD,
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