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2SB736BW4-T1B

更新时间: 2024-10-26 03:23:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管功率放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 186K
描述
AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD)

2SB736BW4-T1B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-59包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.21Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SB736BW4-T1B 数据手册

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