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2SB736-T1BBW5

更新时间: 2024-10-27 06:31:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SC-59, 3 PIN

2SB736-T1BBW5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):250
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.6 V

2SB736-T1BBW5 数据手册

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