5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB736-T2B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
|
| 2SB736-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistors, MM, / |
|
| 2SB736-T2BBW2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
|
| 2SB736-T2BBW4 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
|
| 2SB737 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SB737 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-92 |
|
| 2SB737/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SB737/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SB737/QS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SB737/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
