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2SB710S

更新时间： 2024-01-21 23:18:20
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236

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2SB710S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：170
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SB710S 数据手册

 浏览型号2SB710S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB710S的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB0710, 2SB0710A (2SB710, 2SB710A)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD0602 (2SD602) and 2SD0602A (2SD602A)  
2.8 +–00..32  
1.5 +–00..0255  
Features  
Large collector current IC.  
I
G
0.65 0.15  
0.65 0.15  
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
2SB0710  
Symbol  
Ratings  
–30  
Unit  
Collector to  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
2SB0710A  
2SB0710  
2SB0710A  
–60  
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
–25  
VCEO  
V
emitter voltage  
–50  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
IC  
–5  
V
A
–1  
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
JEDEC:TO–236  
EIAJ:SC–59  
Mini Type Package  
– 0.5  
200  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
(2SB0710)  
Marking symbol : C  
(2SB0710A)  
Tstg  
–55 ~ +150  
D
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
VCB = –20V, IE = 0  
–0.1  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SB0710  
2SB0710A  
–30  
–60  
–25  
–50  
–5  
VCBO  
IC = –10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter 2SB0710  
VCEO  
VEBO  
IC = –10mA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SB0710A  
Emitter to base voltage  
IE = –10µA, IC = 0  
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = –10V, IC = –150mA*2  
VCE = –10V, IC = –500mA*2  
IC = –300mA, IB = –30mA*2  
IC = –300mA, IB = –30mA*2  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
85  
340  
Forward current transfer ratio  
40  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
– 0.35  
– 0.6  
–1.5  
V
V
–1.1  
200  
6
Transition frequency  
fT  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
15  
pF  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE1  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
85 ~ 170  
CQ  
120 ~ 240  
CR  
170 ~ 340  
CS  
2SB0710  
Marking  
Symbol  
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show  
conventional part number.  
2SB0710A  
DQ  
DR  
DS  
1
123

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