2SB713

更新时间： 2024-02-29 21:58:56

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	98K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SB713 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB713 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB713

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -140V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·High Power Dissipation

·Complement to Type 2SD751

APPLICATIONS

·Designed for high power audio frequency amplifier use.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-200

-140

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

-9

I_CP

-15

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

100

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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