5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 16 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 190 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1475B43-T2-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,500MA I(C),SC-70 |
|
| 2SB1475B44 | NEC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SB1475B44 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M |
|
| 2SB1475B44-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SB1475B44-A | RENESAS |
获取价格 |
500mA, 16V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIATURE PACKAGE-3 |
|
| 2SB1475B44-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,500MA I(C),SC-70 |
|
| 2SB1475B44-T1 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M |
|
| 2SB1475B44-T1-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,500MA I(C),SC-70 |
|
| 2SB1475B44-T2 | RENESAS |
获取价格 |
500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIATURE PACKAGE-3 |
|
| 2SB1475B44-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
