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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1356T114/DF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1356T114/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1356T114/F | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1356T114D | ROHM |
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7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1356T114E | ROHM |
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7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1356T114F | ROHM |
获取价格 |
7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1357 | ROHM |
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Transistor PNP (low collector saturation voltage wide safe operation area) |
|
| 2SB1357D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
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| 2SB1357E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
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| 2SB1357F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
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