5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1357T114/EF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1357T114D | ROHM |
获取价格 |
3A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, HRT, 3 PIN |
|
| 2SB1357T114E | ROHM |
获取价格 |
3A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, HRT, 3 PIN |
|
| 2SB1358 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
|
| 2SB1358D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-225VAR |
|
| 2SB1358E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-225VAR |
|
| 2SB1358F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-225VAR |
|
| 2SB1358T114 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1358T114/D | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1358T114/DE | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
