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2SB1357T114D

更新时间: 2024-01-10 22:45:12
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 403K
描述
3A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, HRT, 3 PIN

2SB1357T114D 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.77
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):70 MHz
Base Number Matches:1

2SB1357T114D 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1357T114E ROHM

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2SB1358T114 ROHM

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暂无描述
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