5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.58 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1353AD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-225VAR |
|
| 2SB1353AE | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-225VAR |
|
| 2SB1353AT114 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SB1353AT114/D | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SB1353AT114/E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SB1353AT114D | ROHM |
获取价格 |
1.5A, 160V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1353AT114E | ROHM |
获取价格 |
1.5A, 160V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1353D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-225VAR |
|
| 2SB1353E | ROHM |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1353F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-225VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
